Vishay MOSFET, canale N, 0,193 Ω, 12 A, 18 A., TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Serie: EF, MPN: SIHP186N60EF-GE3
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Vishay MOSFET, Canale N, 0,193 Ω, 12 A, 18 A., TO-220AB, Su Foro
Specifications of Vishay MOSFET, Canale N, 0,193 Ω, 12 A, 18 A., TO-220AB, Su Foro | |
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