IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 90 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 625 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 50kHz, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 16.26mm, Larghezza: 5.3mm, Altezza: 21.46mm, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXYH50N120C3D1
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > IGBT
IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 90 A, Canale N, TO-247
Specifications of IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 90 A, Canale N, TO-247 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |
Last Updated