IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 164 A, canale N, PLUS264, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 1,04 kW, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 50kHz, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 20.29mm, Larghezza: 5.31mm, Altezza: 26.59mm, Dimensioni: 20.29 x 5.31 x 26.59mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXYB82N120C3H1
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > IGBT
IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 164 A, Canale N, PLUS264
Specifications of IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 164 A, Canale N, PLUS264 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |
Last Updated