onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale P, 170 mΩ, 4,1 A, ChipFET, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 2,1 W, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Altezza: 1.1mm, Lunghezza: 3.1mm, MPN: NTHD4102PT1G
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Onsemi MOSFET ON Semiconductor, Canale P, 170 MΩ, 4,1 A, ChipFET, Montaggio Superficiale
Specifications of Onsemi MOSFET ON Semiconductor, Canale P, 170 MΩ, 4,1 A, ChipFET, Montaggio Superficiale | |
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