onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale P, 142 mΩ, 2,9 A, TSOP-6, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 1,4 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1mm, Lunghezza: 3.1mm, MPN: NTGS5120PT1G
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Onsemi MOSFET ON Semiconductor, Canale P, 142 MΩ, 2,9 A, TSOP-6, Montaggio Superficiale
Specifications of Onsemi MOSFET ON Semiconductor, Canale P, 142 MΩ, 2,9 A, TSOP-6, Montaggio Superficiale | |
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