onsemi IGBT, VCE 600 V, IC 80 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 349 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.6 x 4.7 x 20.6mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: FGH40N60SMD
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Onsemi IGBT, VCE 600 V, IC 80 A, Canale N, TO-247
Specifications of Onsemi IGBT, VCE 600 V, IC 80 A, Canale N, TO-247 | |
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