STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 23 A, canale N, TO-220FP, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 10.4 x 4.6 x 20mm, Classe di efficienza energetica: 8mJ, Capacità del gate: 610pF, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGF10NB60SD
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STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 23 A, Canale N, TO-220FP
Specifications of STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 23 A, Canale N, TO-220FP | |
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