onsemi MOSFET, canale N, 1,2 mΩ, 237 A, DFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 5, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 128 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, MPN: NVMFS5C426NLT1G
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Onsemi MOSFET, Canale N, 1,2 MΩ, 237 A, DFN, Montaggio Superficiale
Specifications of Onsemi MOSFET, Canale N, 1,2 MΩ, 237 A, DFN, Montaggio Superficiale | |
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