STMicroelectronics MOSFET, canale N, 165 mΩ, 20 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 35 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STF26NM60N
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STMicroelectronics MOSFET, Canale N, 165 MΩ, 20 A, TO-220FP, Su Foro
Specifications of STMicroelectronics MOSFET, Canale N, 165 MΩ, 20 A, TO-220FP, Su Foro | |
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