Infineon IGBT, VCE 1350 V, IC 30 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 349 W, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 16.13mm, Larghezza: 5.21mm, Altezza: 21.1mm, Dimensioni: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Capacità del gate: 2066pF, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IHW30N135R3FKSA1
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Infineon IGBT, VCE 1350 V, IC 30 A, Canale N, TO-247
Specifications of Infineon IGBT, VCE 1350 V, IC 30 A, Canale N, TO-247 | |
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