onsemi MOSFET, canale N, 30 mΩ, 8 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 1,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2.92mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDN537N
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Onsemi MOSFET, Canale N, 30 MΩ, 8 A, SOT-23, Montaggio Superficiale
Specifications of Onsemi MOSFET, Canale N, 30 MΩ, 8 A, SOT-23, Montaggio Superficiale | |
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