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ROHM MOSFET, Canale N, 0,585 Ω, 9 A, DPAK (TO-252), Montaggio Superficiale

About The ROHM MOSFET, canale N, 0,585 Ω, 9 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Numero di elementi per chip: 1, MPN: R6509KND3TL1

ROHM MOSFET, canale N, 0,585 Ω, 9 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Numero di elementi per chip: 1, MPN: R6509KND3TL1

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ROHM MOSFET, Canale N, 0,585 Ω, 9 A, DPAK (TO-252), Montaggio Superficiale

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Specifications of ROHM MOSFET, Canale N, 0,585 Ω, 9 A, DPAK (TO-252), Montaggio Superficiale

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