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Infineon MOSFET, Canale N, 0,0056 Ω, 105 A, PQFN 3 X 3, Montaggio Superficiale

About The Infineon MOSFET, canale N, 0,0056 Ω, 105 A, PQFN 3 x 3, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Serie: OptiMOS, MPN: BSZ040N04LSGATMA1

Infineon MOSFET, canale N, 0,0056 Ω, 105 A, PQFN 3 x 3, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Serie: OptiMOS, MPN: BSZ040N04LSGATMA1

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Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 0,0056 Ω, 105 A, PQFN 3 X 3, Montaggio Superficiale

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ROHM MOSFET, canale N, 0,0155 Ω, 39 A, HSMT, Montaggio superficiale

ROHM MOSFET, canale N, 0,0155 Ω, 39 A, HSMT, Montaggio superficiale

ROHM MOSFET, canale N, 0,0155 Ω, 39 A, HSMT, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, MPN: RQ3P300BHTB1.

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    ROHM IGBT, VCE 650 V, IC 40 A, canale N, TO-247N, Tensione massima gate emitter: ±30V, Dissipazione di potenza massima: 214 W, Configurazione: Single, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Emettitore comune, MPN: RGW80TS65DHRC11.

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    Deutsch Terminale per connettori automotive, Femmina, Numero di serie: 0462-201, MPN: 0462-201-16141.

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    RS PRO Giunto pneumatico ad attacco rapido, Portagomma Femmina, in Ottone, 12bar max

    RS PRO Giunto pneumatico ad attacco rapido, Portagomma Femmina, in Ottone, 12bar max, Connessione portagomma: 1/4poll, Minima temperatura operativa: -20°C, Materiale tenuta: NBR, Massima temperatura operativa: +80°C.

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    DiodesZetex MOSFET, canale N, 125 mΩ, 2,8 A, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 70 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.55mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, MPN: ZXMS6006DGTA.

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    ROHM Diodo raddrizzatore e Schottky, Montaggio superficiale, 2A, 60V, PMDE, Diodo Schottky

    ROHM Diodo raddrizzatore e Schottky, Montaggio superficiale, 2A, 60V, PMDE, Diodo Schottky, Configurazione diodi: Singolo, Numero di elementi per chip: 1, Tecnologia del diodo: Barriera Schottky, MPN: RBR2VWM60ATR.

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    Infineon MOSFET, canale N, 0,0056 Ω, 105 A, PQFN 3 x 3, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Serie: OptiMOS, MPN: BSZ040N04LSGATMA1.

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