Infineon MOSFET, Canale N, 0.049 Ω, 80 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale

95 x 4.

4 x 1.

4W, ±1%, Tecnologia: Film sottile, Coefficiente di temperatura: ±50ppm/°C, MPN: MRS16000C1009FCT00.Vishay Resistenza serie MRS16, 10Ω, 0.

ROHM MOSFET, canale N, 0,0155 Ω, 39 A, HSMT, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, MPN: RQ3P300BHTB1.

ROHM IGBT, VCE 650 V, IC 40 A, canale N, TO-247N, Tensione massima gate emitter: ±30V, Dissipazione di potenza massima: 214 W, Configurazione: Single, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Emettitore comune, MPN: RGW80TS65DHRC11.

Deutsch Terminale per connettori automotive, Femmina, Numero di serie: 0462-201, MPN: 0462-201-16141.

049 Ω, 80 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, MPN: IPB049N08N5ATMA1.Infineon MOSFET, canale N, 0.

RS PRO Giunto pneumatico ad attacco rapido, Portagomma Femmina, in Ottone, 12bar max, Connessione portagomma: 1/4poll, Minima temperatura operativa: -20°C, Materiale tenuta: NBR, Massima temperatura operativa: +80°C.

049 Ω, 80 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, MPN: IPB049N08N5ATMA1.Infineon MOSFET, canale N, 0.

RS PRO Giunto pneumatico ad attacco rapido, Portagomma Femmina, in Ottone, 12bar max, Connessione portagomma: 1/4poll, Minima temperatura operativa: -20°C, Materiale tenuta: NBR, Massima temperatura operativa: +80°C.