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Infineon MOSFET, Canale N, 40 A, PQFN 3 X 3, Montaggio Superficiale

About The Infineon MOSFET, canale N, 40 A, PQFN 3 x 3, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Numero di elementi per chip: 1, MPN: IAUZ40N06S5N050ATMA1

Infineon MOSFET, canale N, 40 A, PQFN 3 x 3, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Numero di elementi per chip: 1, MPN: IAUZ40N06S5N050ATMA1

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Infineon MOSFET, Canale N, 40 A, PQFN 3 X 3, Montaggio Superficiale

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Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 40 A, PQFN 3 X 3, Montaggio Superficiale

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Infineon MOSFET, Canale N, 40 A, PQFN 3 X 3, Montaggio Superficiale
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Essentra Distanziale PCB in Nylon, H.
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  • Controllo ESD & Camera bianca e prototipazione PCB
  • Distanziali & colonnine e supporti per PCB
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    • MOLINEL Pantaloni Blu per Uomo 46 Optimax 46poll 92cm

    MOLINEL Pantaloni Blu per Uomo 46 Optimax 46poll 92cm

    MOLINEL Pantaloni Blu per Uomo 46 Optimax 46poll 92cm, MPN: 2029 2351 958 / T46.

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    • Infineon Transistor MOSFET + diodo, canale N, 0,0031 O, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

    Infineon Transistor MOSFET + diodo, canale N, 0,0031 O, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

    8V, Serie: OptiMOS 3, MPN: IPB031N08N5ATMA1.Infineon Transistor MOSFET + diodo, canale N, 0,0031 O, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.

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    Infineon Driver gate MOSFET 1EDI20N12AFXUMA1, CMOS, -3,5 A, 4 A, 17V, DSO, 8-Pin

    Infineon Driver gate MOSFET 1EDI20N12AFXUMA1, CMOS, -3,5 A, 4 A, 17V, DSO, 8-Pin, Tempo di discesa: 19ns, Tempo di salita: 20ns, Topologia: Con isolamento galvanico, Dipendenza alta e bassa: Indipendente, Polarità: Invertente, non invertente, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Altezza: 1.65mm.

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