STMicroelectronics Modulo MOSFET, Canale N, 0,036 Ω, 68 A, TO-247, Su Foro

ROHM Modulo di potenza intelligente c.

Nexperia Diodo, Montaggio superficiale, 100mA, 30V, SOD-882, Raddrizzatore Schottky, Configurazione diodi: Singolo, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 3A, MPN: RB521CS30L,315.

RS PRO Morsettiera per circuito stampato Femmina a 2 vie, 1 fila, passo 5.16mm, Larghezza: 25.

c.ROHM Modulo di potenza intelligente c.

5W, ±5%, Tecnologia: Smalto metallico, Temperatura operativa massima: +155°C, Temperatura operativa minima: -55°C, MPN: VR37000003303JA100.Vishay Resistenza serie VR37, 330kΩ, 0.

6000.2.

massima: 37Ω, Serie: LQH43MN_03, Materiale base: Ferrite, Frequenza di risonanza massima: 1.

75V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: SiC, MPN: STW70N65DM6-4.STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,036 Ω, 68 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 4.

6MHz, Temperatura operativa massima: +85°C, MPN: LQH43MN152J03L Murata Induttore a filo avvolto SMD 1,5 mH, ±5%, Icc 40mA, 1812 (4532M).

STMicroelectronics Modulo MOSFET, canale N, 0,036 Ω, 68 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Depletion, Tensione di soglia gate massima: 4.75V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: SiC, MPN: STW70N65DM6-4.