Fairchild Semiconductor IGBT, VCE 420 V, IC 46 A, canale N, D2PAK (TO-263), Tensione massima gate emitter: ±14V, Dissipazione di potenza massima: 250 W, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 10.67mm, Larghezza: 9.65mm, Altezza: 4.83mm, Dimensioni: 10.67 x 9.65 x 4.83mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: ISL9V5036S3ST
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Fairchild Semiconductor IGBT, VCE 420 V, IC 46 A, Canale N, D2PAK (TO-263)
Specifications of Fairchild Semiconductor IGBT, VCE 420 V, IC 46 A, Canale N, D2PAK (TO-263) | |
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