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Vishay MOSFET, Canale P, 200 MΩ, 13 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale

About The Vishay MOSFET, canale P, 200 mΩ, 13 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: SIHF9540STRL-GE3

Vishay MOSFET, canale P, 200 mΩ, 13 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: SIHF9540STRL-GE3

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Specifications of Vishay MOSFET, Canale P, 200 MΩ, 13 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale

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