Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 650 A, Canale N, Modulo 62MM
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Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 650 A, canale N, Modulo 62MM, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 2,25 kW, Configurazione: Single, Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 106.4 x 61.4 x 36.5mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: FZ400R12KE3
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Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 650 A, Canale N, Modulo 62MM
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Specifications of Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 650 A, Canale N, Modulo 62MM | |
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