Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale N, Econo3, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 355 W, Configurazione: Ponte trifase, Tipo di montaggio: Montaggio su circuito stampato, Velocità di switching: 1MHz, Dimensioni: 122 x 62 x 17mm, Massima temperatura operativa: +125 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, MPN: FS75R12KE3G
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Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, Canale N, Econo3
Specifications of Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, Canale N, Econo3 | |
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