DiodesZetex MOSFET, canale N, 180 mΩ, 3,3 A, SOT-89, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2,12 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 4.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: ZXMN3A01ZTA
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
DiodesZetex MOSFET, Canale N, 180 MΩ, 3,3 A, SOT-89, Montaggio Superficiale
Specifications of DiodesZetex MOSFET, Canale N, 180 MΩ, 3,3 A, SOT-89, Montaggio Superficiale | |
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