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STMicroelectronics Diodo TVS, Bidirezionale, Su Foro, Bloccaggio 27.2V, Breakdown 14.3V, DO-201

About The 3 x 5.STMicroelectronics Diodo TVS, Bidirezionale, Su foro, bloccaggio 27

STMicroelectronics Diodo TVS, Bidirezionale, Su foro, bloccaggio 27.2V, breakdown 14.3V, DO-201, Configurazione diodi: Singolo, Massima tensione di stand-off inversa: 12.8V, Dissipazione della potenza di picco dell'impulso: 1500W, Corrente di picco impulso massima: 368A, Minima temperatura operativa: -65 °C, Dimensioni: 9.5 x 5.3 x 5.3mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: 1.5KE15CA

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STMicroelectronics Diodo TVS, Bidirezionale, Su Foro, Bloccaggio 27.2V, Breakdown 14.3V, DO-201

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Specifications of STMicroelectronics Diodo TVS, Bidirezionale, Su Foro, Bloccaggio 27.2V, Breakdown 14.3V, DO-201

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STMicroelectronics Diodo TVS, Bidirezionale, Su foro, bloccaggio 69.7V, breakdown 37.1V, DO-201
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    • Bourns Induttore di potenza, 8,2 μH, 8.5A, case 1038

    Bourns Induttore di potenza, 8,2 μH, 8.5A, case 1038

    5A, case 1038, Lunghezza: 11 x 10 x 3.8mm, Standard per uso automobilistico: AEC-Q200, Profondità: 10mm, MPN: SRP1038WA-8R2M.

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    Bourns Induttore di potenza, 5,6 μH, 10.5A, case 1038

    Bourns Induttore di potenza, 5,6 μH, 10.8mm, Standard per uso automobilistico: AEC-Q200, Profondità: 10mm, MPN: SRP1038WA-5R6M.5A, case 1038, Lunghezza: 11 x 10 x 3.

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    STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 40 mΩ, 53 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 250 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STB45N30M5.

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    STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 40 mΩ, 53 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 250 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Lunghezza: 10.

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