Bourns Induttore Di Potenza, 5,6 μH, 10.5A, Case 1038

Siemens Interruttore magnetotermico scatolato 3VA1216-4EF42-0AA0, 4, 160A, 690V, potere di interruzione 36 kA, Fissa, Gamma: SENTRON, Tensione nominale c.

Amphenol India Calotta serie M85049, size 22, per Connettore, Orientamento: Ad angolo retto, Materiale custodia: Lega di alluminio, MPN: M85049/82-22W03.

Amphenol India Calotta serie M85049, size 7/12, per Connettore, Orientamento: Ad angolo retto, Materiale custodia: Lega di alluminio, MPN: M85049/82-12W03.

STMicroelectronics Diodo TVS, Unidirezionale, Su foro, bloccaggio 706V, breakdown 380V, DO-201, Configurazione diodi: Singolo, Massima tensione di stand-off inversa: 342V, Dissipazione della potenza di picco dell'impulso: 1500W, Corrente di picco impulso massima: 14A, Minima temperatura operativa: -65 °C, Massima temperatura operativa: +175 °C, Dimensioni: 9.3mm, MPN: 1.5KE400A.

5KE39CA.1V, DO-201, Configurazione diodi: Singolo, Massima tensione di stand-off inversa: 33.

Bourns Induttore di potenza, 8,2 μH, 8.5A, case 1038, Lunghezza: 11 x 10 x 3.8mm, Standard per uso automobilistico: AEC-Q200, Profondità: 10mm, MPN: SRP1038WA-8R2M.

5A, case 1038, Lunghezza: 11 x 10 x 3.Bourns Induttore di potenza, 5,6 μH, 10.8mm, Standard per uso automobilistico: AEC-Q200, Profondità: 10mm, MPN: SRP1038WA-5R6M.

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 40 mΩ, 53 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 250 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Lunghezza: 10.

Bourns Induttore di potenza, 5,6 μH, 10.8mm, Standard per uso automobilistico: AEC-Q200, Profondità: 10mm, MPN: SRP1038WA-5R6M.

STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 40 mΩ, 53 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 250 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STB45N30M5.