STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 40 mΩ, 53 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 250 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STB45N30M5
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
STMicroelectronics Transistor MOSFET, Canale N, 40 MΩ, 53 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale
Specifications of STMicroelectronics Transistor MOSFET, Canale N, 40 MΩ, 53 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale | |
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