Infineon MOSFET, canale P, 70 mΩ, 5,8 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IRF7406TRPBF
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Infineon MOSFET, Canale P, 70 MΩ, 5,8 A, SOIC, Montaggio Superficiale
Specifications of Infineon MOSFET, Canale P, 70 MΩ, 5,8 A, SOIC, Montaggio Superficiale | |
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