Onsemi MOSFET, Canale N, 150 MΩ, 24 A, TO-220, Su Foro

TE Connectivity Connettore coassiale Ad angolo retto, Maschio, 50Ω, Montaggio su cavo, Tipo connettore coassiale: Connettore BNC, Terminazione: Saldare, Modello: RG165, RG213, RG214, RG215, RG225, Pannello: No, Frequenza: 0 to 11GHz, Placcatura corpo: Nichel, Polarità: Normale, Materiale contatto: Ottone, Placcatura contatto: Oro, MPN: RBD-50-L-00.

0A, 150,0 V., Tipo di montaggio: Montaggio su cavo, Dimensione connettore: M16, Tipo di accoppiamento: A vite, Terminazione: Saldare, Orientamento: Ad angolo retto, Materiale custodia: Metallo, polimero, Placcatura contatto: Argento, Massima temperatura operativa: +85°C, Minima temperatura operativa: -40°C, Pressacavo: Sì, MPN: T3636 001.Amphenol Industrial Connettore DIN Amphenol, serie signalmate C091, 12 poli, IP40, 3.

Rockwell Automation Cavo Ethernet Cat5e (UTP) col.Verde, L.

Vishay Diodo, Montaggio su filettatura, 16A, 800V, DO-4, Raddrizzatore a recupero, Configurazione diodi: Catodo a vite, Diodo: Rettificatore, Numero pin: 2, Caduta di tensione diretta massima: 1.23V, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 370A, MPN: VS-16F80M.

onsemi MOSFET, canale N, 95 mΩ, 36 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Resistenza massima drain source: 95 m Ω, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 272 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.3V, MPN: NTB095N65S3HF.

RS PRO Vite metrica in Acciaio ad alta resistenza, M6 x 45mm, Imperiale o metrico: Metrico, Grado: 8.

onsemi MOSFET, canale N, 150 mΩ, 24 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Resistenza massima drain source: 150 m Ω, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 192 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Tensione diretta del diodo: 1.3V, MPN: NTP150N65S3HF.

SKF Guarnizione per alberi rotanti, Ø int.15mm, Ø est.

onsemi MOSFET, canale N, 150 mΩ, 24 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Resistenza massima drain source: 150 m Ω, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 192 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Tensione diretta del diodo: 1.

15mm, Ø est. SKF Guarnizione per alberi rotanti, Ø int.