onsemi MOSFET, canale N, 150 mΩ, 24 A, TO-220, Su foro
onsemi MOSFET, canale N, 150 mΩ, 24 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Resistenza massima drain source: 150 m Ω, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 192 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Tensione diretta del diodo: 1.3V, MPN: NTP150N65S3HF.