Vishay MOSFET, canale P, 130 mΩ, 2,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 1,7 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 3.04mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SI2367DS-T1-GE3
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Vishay MOSFET, Canale P, 130 MΩ, 2,2 A, SOT-23, Montaggio Superficiale
Specifications of Vishay MOSFET, Canale P, 130 MΩ, 2,2 A, SOT-23, Montaggio Superficiale | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |
Last Updated