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Vishay MOSFET, Canale P, 67,5 MΩ, 4,7 A, SOT-23, Montaggio Superficiale

About The .4V, Dissipazione di potenza massima: 1,7 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 3

Vishay MOSFET, canale P, 67,5 mΩ, 4,7 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 1,7 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 3.04mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SI2365EDS-T1-GE3

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Vishay MOSFET, Canale P, 67,5 MΩ, 4,7 A, SOT-23, Montaggio Superficiale

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Specifications of Vishay MOSFET, Canale P, 67,5 MΩ, 4,7 A, SOT-23, Montaggio Superficiale

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