Infineon MOSFET, canale N, 24 mΩ, 55 A, TDSON, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 66 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 1.1mm, MPN: BSC123N08NS3 G
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Infineon MOSFET, Canale N, 24 MΩ, 55 A, TDSON, Montaggio Superficiale
Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 24 MΩ, 55 A, TDSON, Montaggio Superficiale | |
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