Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, Canale N, TO-3P

Arcol Ohmite Resistenza alta potenza, 50W, ±1%, Serie: HS, Tecnologia: Filo avvolto, MPN: HS50 R1 F.

38mm, Tensione massima in ingresso: 5,5 V.onsemi Regolatore di tensione NCP167AMX300TBG, 700mA, 4-Pin, XDFN, Tipo di regolatore: Bassa tensione di caduta, Tensione di uscita: 3 V, Regolazione di linea: 0,02%/V, Precisione: ±2%, Regolazione del carico: 0,002%/mA, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Corrente di quiescenza: 18µA, Tipo di uscita: Fissa, Dimensioni: 1 x 1 x 0.

Arcol Ohmite Resistenza alta potenza, 150W, ±1%, Serie: HS, Tecnologia: Filo avvolto, MPN: HS150 1R5 F.

225 mm Ad angolo retto.225 mm Ad angolo retto, Numero di pezzi: 1, Sicurezza ESD: No, Numero modello: 41 24 225 Knipex Pinze a becchi piatti in Acciaio speciale per utensili di qualità, lungh.

max, 38V c.c.

Rittal Kit di accoppiamento per Collegamento ARM di supporto, 90 x 71mm, Serie: CP, MPN: 6501120.

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-3P, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 170 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 15.8mm, Altezza: 20mm, Dimensioni: 15.8 x 20mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: GT30J121.9mm, Larghezza: 4.

16mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK35E08N1.Toshiba MOSFET, canale N, 12,2 mΩ, 55 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 80 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 72 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.

8mm, Altezza: 20mm, Dimensioni: 15.9 x 4.9mm, Larghezza: 4.Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-3P, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 170 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 15.

Toshiba MOSFET, canale N, 12,2 mΩ, 55 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 80 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 72 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.16mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK35E08N1.