Infineon MOSFET, canale N, 300 mΩ, 9,3 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 82 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.3V, MPN: IRF630NSTRLPBF
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Infineon MOSFET, Canale N, 300 MΩ, 9,3 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale
Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 300 MΩ, 9,3 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale | |
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