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Vishay MOSFET SI4162DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 13,6 A, SOIC De 8 Pines,, Config. Simple

About The Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 2,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.Vishay MOSFET SI4162DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 13,6 A, SOIC de 8 pines,, config

Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 2,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C Vishay MOSFET SI4162DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 13,6 A, SOIC de 8 pines,, config.

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Specifications of Vishay MOSFET SI4162DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 13,6 A, SOIC De 8 Pines,, Config. Simple

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