Vishay MOSFET SI4128DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 7,5 A, SOIC De 8 Pines,, Config. Simple

RS PRO Resistencia, 2MΩ, 0.

25W, Película Fina, 1206 (3216M).RS PRO Resistencia, 2MΩ, 0.1%, 0.

42V, Tipo de actuador: Actuador lineal micro, MPN: MLS14A08-M08080P30000N-B100-RS3.Thomson Linear Actuador lineal eléctrico MLS, 3.

Thomson Linear Actuador lineal eléctrico MLS, 2.33V, Tipo de actuador: Actuador lineal micro, MPN: MLS17A10-M10060S30000N-B400-XF3.

USB A Hembra, long. 1m USB A Macho, con B.

USB A Hembra, long.

Simple.Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 24 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 2,4 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C Vishay MOSFET SI4128DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 7,5 A, SOIC de 8 pines,, config.

Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 2,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C Vishay MOSFET SI4162DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 13,6 A, SOIC de 8 pines,, config.

Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 24 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 2,4 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C Vishay MOSFET SI4128DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 7,5 A, SOIC de 8 pines,, config. Simple.

Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 2,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C Vishay MOSFET SI4162DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 13,6 A, SOIC de 8 pines,, config. Simple.