onsemi MOSFET, canale N, 4,8 Ω, 300 mA, SOT-23, Montaggio superficiale
onsemi MOSFET, canale N, 4,8 Ω, 300 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 350 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.