STMicroelectronics MOSFET, canale N, 3,7 Ω, 3,5 A, TO-220, Su foro
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 3,7 Ω, 3,5 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 1000 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 125 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 9.