onsemi MOSFET, canale P, 52 mΩ, 2,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale
4V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 2.92mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDN304P.onsemi MOSFET, canale P, 52 mΩ, 2,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.