IXYS MOSFET, canale N, 40 mΩ, 70 A, TO-247, Su foro
IXYS MOSFET, canale N, 40 mΩ, 70 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 690 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 16.