Infineon MOSFET, canale N, 3 mΩ, 210 A, TO-220AB, Su foro
Infineon MOSFET, canale N, 3 mΩ, 210 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 75 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 370 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.66mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IRFB3077PBF.