onsemi MOSFET, canale N, 2,5 mΩ, 265 A, TO-220, Su foro
onsemi MOSFET, canale N, 2,5 mΩ, 265 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 395 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FDP025N06.