onsemi MOSFET, canale N, 23 mΩ, 35 A, TO-220F, Su foro
onsemi MOSFET, canale N, 23 mΩ, 35 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 62 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.16mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FQPF70N10.