Toshiba MOSFET, canale N, 8,2 mΩ, 90 A, TO-220, Su foro
1mm, Lunghezza: 10.16mm, MPN: TK40E10N1,S1X(S.Toshiba MOSFET, canale N, 8,2 mΩ, 90 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 126 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 15.