Nexperia MOSFET, canale N, 20 mΩ, 46 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale
Nexperia MOSFET, canale N, 20 mΩ, 46 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 56 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: PSMN014-40YS,115.