STMicroelectronics MOSFET, canale N, 6 mΩ, 110 A, PowerFLAT 5 x 6, Montaggio superficiale
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 6 mΩ, 110 A, PowerFLAT 5 x 6, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STL110N10F7.