IXYS MOSFET, canale N, 85 mΩ, 64 A, TO-264, Su foro
16mm, Lunghezza: 19.5V, Dissipazione di potenza massima: 1 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 26.96mm, MPN: IXFK64N50Q3.IXYS MOSFET, canale N, 85 mΩ, 64 A, TO-264, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.