Toshiba MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 93 A, SOP, Montaggio superficiale
Toshiba MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 93 A, SOP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 78 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TPH4R50ANH.