STMicroelectronics MOSFET, canale N, 900 mΩ, 9 A, TO-220, Su foro
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 900 mΩ, 9 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 160 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP10NK80Z.