STMicroelectronics MOSFET, canale N, 6 mΩ, 80 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 6 mΩ, 80 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 70 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 2.4mm, MPN: STD80N4F6.