IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale N, TO-247
26 x 5.46mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: IXYH50N120C3.3 x 21.IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 750 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 50kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 16.