STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,5 Ω, 3 A, TO-220, Su foro
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,5 Ω, 3 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 60 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 15.75mm, MPN: STP4N80K5.